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NAND-FLASH 芯片BGA高低温BIT智能测试箱

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闪存芯片智能测试系统是一种可以量身定制测试方案、支持多种型号闪存颗 粒并行测试的综合闪存测试系统,系统可提供宽温测试环境,并行测试闪存颗粒种类最 多可达 64 种,并行测试闪存颗粒数量最多可达 512 颗。
闪存芯片智能测试系统支持多种测试 pattern 及自定义测试参数功能,可提 供一键式基础测试流程和高灵活性的高阶测试流程,不仅可以实现闪存颗粒剩余寿命预 测、实测、数据保持和读干扰等多种功能性测试,还能够帮助用户检验闪存颗粒的可靠 性状态,完成测试后可以方便快捷地一键导出测试报告,为客户提供最直观精确的图形 化测试数据,为闪存颗粒的等级分类和应用提供最直观的数据参考,并基于闪存颗粒品 质检测结果实现智能分级。

1产品概述

 

 

闪存芯片智能测试系统YC-512-NAND是一种可以量身定制测试方案、支持多种型号闪存颗 粒并行测试的综合闪存测试系统,系统可提供宽温测试环境,并行测试闪存颗粒种类最 多可达 64 种,并行测试闪存颗粒数量最多可达 512 颗。

闪存芯片智能测试系统YC-512-NAND支持多种测试 pattern 及自定义测试参数功能,可提 供一键式基础测试流程和高灵活性的高阶测试流程,不仅可以实现闪存颗粒剩余寿命预 测、实测、数据保持和读干扰等多种功能性测试,还能够帮助用户检验闪存颗粒的可靠 性状态,完成测试后可以方便快捷地一键导出测试报告,为客户提供最直观精确的图形 化测试数据,为闪存颗粒的等级分类和应用提供最直观的数据参考,并基于闪存颗粒品 质检测结果实现智能分级。

 

2 、产品规范

 

  • 测试依据符合JEDEC Stand No.218: 固态技术协会 B-2016 Solid-State Drive(SSD) Requirements And Endurance Test Motho;
  • 测试依据符合JEDEC Standard No.47 NVCE:固态技术协会Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits;

※ 测试板设计规格符合工业级测试温度环境要求;

 

 

3 、产品图例

 

4、设备组成

 

 

名称

规格

数量

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

测试板

PCBA_XC7Z030_NAND_TEST_V1_3_Rohs

64

 

 

YC-512-NAND 定制温箱

 

温箱

温箱:L130cm*W185cm*H186cm;

控制箱:L60cm*W110cm*H157cm;

1

 

可并行测试颗粒数量:1~512 颗;

 

 

工作温度范围:-60℃~+150℃;

 

 

含维护用螺丝刀、备用螺丝、扳手;

 

 

详细规格如下文档

 

上位机

CPU-i7,16G 内存,1T 固态硬盘+机械硬盘 3T; 21.5 寸显示器;

1

交换机

千兆交换机

2

 

 

 

 

 

 

 

 

真空吸笔

便携式防静电

1

闪存规格限位框

12mm*18 mm(测试底座内置)

512

闪存规格限位框

14mm*18 mm

512

附系统安装 U 

32GB

1

 

 

 

 

 

 

NAND 闪存自动化测试分类与寿命预测系统 1.0

1

闪存筛选方法软件 V1.0.0

1

NAND 闪存高低温测试分类与筛选系统 V1.0

1

 

 

5、产品功能

 

 

产品功能

 

 

 

 

 

 

 

 

 

基础测试

芯片信息识别

实时功耗测试

误码率测试

平均擦除时间测试

平均编程时间测试

坏块数测试

坏块容量测试

剩余可用容量测试

闪存等级划分

剩余寿命预测

一键导出测试报告

 

 

 

 

 

 

实验测试

最大错误数测试

平均擦除时间测试

平均编程时间测试

闪存错误数变化绘图

实际可擦写次数测试

最大页面错误数变化测试

擦除时间变化测试

编程时间变化测试

 

 

 

 

 

高阶测试

测试电压拉偏

设置测试范围(块间隔)

ECC 设定

挑选测试 pattern

Read-retry

数据保持

读干扰

 

 

6、技术参数

 

 

物理特性

设备尺寸

温箱:L130cm*W125cm*H230cm;控制箱:L73cm*W90cm*H127cm;

供电方式

交流

工作电压范围

三相供电 380V

正常工作功耗

16KW

工作温度范围

-40℃~+85℃

存储温度范围

0℃~+25℃

工作湿度范围

45%~75%

系统性能

可并行测试颗粒数量

1~512 

已支持测试闪存品牌

Micron、Intel、YMTC、Hynix、Toshiba、Sandisk 等厂商的 SLC、

MLC、TLC、QLC 类型 NAND Flash 芯片颗粒(范围扩展中)

已支持测试封装规格

BGA152、BGA132(可定制扩展)

已支持闪存协议类型

ONFI/toggle 接口颗粒

支持电压

硬件支持 V1.2、V1.8 可选

 

支持电压拉偏范围

软件支持可微调 vcc2.3~3.6

vccq1.2 1.15~1.25 vccq1.8 1.70~1.95

支持测试范围可选

起始测试块数、块间间隔、循环数、测试时间等个性化设置

支持 pattern

0,全 1,全 5,伪随机,棋盘格,字线随机

 

 

 

 

 

支持特殊测试命令

闪存信息检测

闪存性能检测

寿命测试与预测

质量等级分类

数据干扰测试

数据保持测试

Read-Retry 功能

寿命测试与预测

ECC 自定义

 

并行测试速度

以基础测试为参考:

均衡模式:32GB*512 颗粒约 1 小时; 全面模式:32GB*512 颗约 2 小时; 高速模式:32GB*512 颗约 0.5 小时;

 

智能化测试模块

基础测试

实验测试

高阶测试

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